- عدد زيارات العملاء...
English
تسجيل الدخول
قبل الشراء
تفاصيل سريعة تساعدك على الشراء
كل ما يهمك عن هذا المنتج في نظرة سريعة
توصيل سريع داخل الكويت
إمكانية التوصيل خلال 3 ساعات داخل أوقات العمل للمنتجات التي لا تحتاج إلى تركيب أو تجميع
دفع مرن
خيارات التقسيط المتاحة لهذا المنتج: ديما، تالي.
منتجات من مصادر موثوقة
مدعومة بكفالة وكيل معتمد على المنتجات المشمولة بالكفالة
سامسونج 1TB SSD داخلي PCIe Gen 5x4 NVMe، سرعات تصل إلى 14700 MB/s
في المخزون
يعتبر سامسونج 9100 PRO 1TB SSD الداخلي خيارًا مثاليًا للأداء العالي في الحوسبة، حيث يتميز بواجهة PCIe Gen 5x4 NVMe، مما يتيح سرعات قراءة متسلسلة تصل إلى 14، 700 ميجابايت في الثانية وسرعات كتابة تصل إلى 13، 300 ميجابايت في الثانية. يأتي هذا المنتج بتصميم M.2 ويحتوي على سعة تخزين قوية تبلغ 1TB، ويعتمد على تقنية V-NAND TL
96.900 د.ك.
103.685 د.ك.
كود :
MZ-VAP1T0B/AM
4 دفعات بدون فوائد بقيمة 26.048 د.كاعرف أكثر
التسليم المقدر:1 يوم عمل
إرجاع مجاني في غضون: 14 أيام من الشراءشحن امن بياناتك جميعها محميةلمحة عامة
أداء عالييتميز SSD الداخلي من سامسونج (9100 PRO) بسعة 1TB بأداء متفوق، حيث تصل سرعات القراءة المتسلسلة إلى 14،700 ميجابايت في الثانية وسرعات الكتابة إلى 13،300 ميجابايت في الثانية. يعتمد على واجهة PCIe Gen 5x4 NVMe، مما يجعله خيارًا مثاليًا لتطبيقات الحوسبة المتقدمة. | |
 | |
 | |
تصميم مدمجيأتي هذا المنتج بتصميم M.2 بحجم 2280، مما يسهل تركيبه في أجهزة الكمبيوتر المكتبية والمحمولة. أبعاده المدمجة 0.9 × 0.09 × 3.2 بوصة ووزنه الخفيف 0.02 رطل يجعله خيارًا مثاليًا للترقيات دون إضافة وزن زائد. | |
موثوقية وأمانيعتمد SSD على تقنية V-NAND TLC Flash ووحدة تحكم مصممة داخليًا، مما يعزز من موثوقية الأداء. كما يدعم تشفير البيانات المتقدم AES 256 بت، مما يوفر مستوى عالٍ من الأمان للبيانات المخزنة. | |
 | |
 | |
تحمل ممتازيتميز محرك الأقراص بتحمل يبلغ 800 TBW، مما يجعله مناسبًا للتطبيقات التي تتطلب أداءً عالياً. بالإضافة إلى ذلك، يحتوي على ذاكرة تخزين مؤقت بسعة 1GB LPDDR4X لضمان معالجة البيانات بكفاءة عالية. |
المواصفات الرئيسية
- رقم الموديل: Samsung (9100 PRO) 1TB Internal SSD PCIe Gen 5x4 NVMe
- رقم الجزء: MZ-VAP1T0B/AM
- السعة: 1TB
- شكل العامل: M.2 (2280)
- واجهة: PCIe® 5.0 x4, NVMe™ 2.0
- سرعة القراءة: تتابعي: 14,700 MB/s
- سرعة الكتابة: تتابعي: 13,300 MB/s
- قراءة/كتابة عشوائية (IOPS,QD32): 1,850K / 2,600K
- التحمل (إجمالي البايتات المكتوبة): 800 TB
- الطاقة: نشط (قراءة/كتابة): 7.6W / 7.2W وضع السكون للجهاز (L1.2): 4.0mW / 3.3mW
- تشفير البيانات: الفئة 0 (AES 256), TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667)
- ذاكرة التخزين المؤقت: 1GB LPDDR4X
- ميزات خاصة: سعة تخزين 1TB شكل عامل M.2 2280 واجهة PCIe 5.0 x4 / NVMe 2.0 قراءات تتابعية تصل إلى 14,700 MB/s كتابات تتابعية تصل إلى 13,300 MB/s ذاكرة تخزين مؤقت 1GB LPDDR4x التحمل (TBW): 800TB تقنية فلاش Samsung V-NAND TLC وحدة تحكم داخلية من Samsung تشفير AES 256 بت
- حجم المنتج (الأبعاد): 0.9 x 0.09 x 3.2 (بوصة)
