- عدد زيارات العملاء...
English
تسجيل الدخول
قبل الشراء
تفاصيل سريعة تساعدك على الشراء
كل ما يهمك عن هذا المنتج في نظرة سريعة
توصيل سريع داخل الكويت
إمكانية التوصيل خلال 3 ساعات داخل أوقات العمل للمنتجات التي لا تحتاج إلى تركيب أو تجميع
دفع مرن
خيارات التقسيط المتاحة لهذا المنتج: ديما، تالي.
منتجات من مصادر موثوقة
مدعومة بكفالة وكيل معتمد على المنتجات المشمولة بالكفالة
سامسونج SSD داخلي 2TB PCIe Gen 5x4 NVMe، سرعات تصل إلى 14700 MB/s
في المخزون
تتميز وحدة التخزين الداخلية سامسونج بسعة 2 تيرابايت بتقنية PCIe Gen 5x4 NVMe، حيث تقدم أداءً استثنائيًا مع سرعات قراءة متسلسلة تصل إلى 14، 700 ميجابايت في الثانية وسرعات كتابة تصل إلى 13، 400 ميجابايت في الثانية. تأتي هذه الوحدة بتصميم M.2 وتحتوي على 2 جيجابايت من ذاكرة التخزين المؤقت LPDDR4X، مما يمنحها تصنيف تحمل مثي
155.800 د.ك.
166.705 د.ك.
كود :
MZ-VAP2T0B/AM
4 دفعات بدون فوائد بقيمة 41.882 د.كاعرف أكثر
التسليم المقدر:1 يوم عمل
إرجاع مجاني في غضون: 14 أيام من الشراءشحن امن بياناتك جميعها محميةلمحة عامة
أداء استثنائيتقدم وحدة التخزين الداخلية سامسونج (9100 PRO) سعة 2 تيرابايت أداءً متميزًا مع سرعات قراءة متسلسلة تصل إلى 14،700 ميجابايت في الثانية وسرعات كتابة تصل إلى 13،400 ميجابايت في الثانية. تعتمد هذه الوحدة على واجهة PCIe Gen 5x4 NVMe لضمان سرعة نقل بيانات عالية. | |
 | |
 | |
تصميم مدمجتتميز الوحدة بتصميم M.2 بحجم 0.9 × 0.09 × 3.2 بوصة، مما يجعلها مثالية للاستخدام في الأجهزة ذات المساحات المحدودة. وزنها الخفيف الذي لا يتجاوز 0.02 رطل يسهل تركيبها في مختلف الأنظمة. | |
موثوقية عاليةتستخدم الوحدة تقنية V-NAND TLC Flash ووحدة تحكم مصممة داخليًا، مما يعزز من موثوقيتها وسرعتها. كما أن تصنيف التحمل يبلغ 1200 TBW، مما يضمن أداءً طويل الأمد في مختلف الاستخدامات. | |
 | |
 | |
أمان البياناتتدعم الوحدة تشفير AES 256 بت لتعزيز أمان البيانات المخزنة. كما تعمل بكفاءة مع استهلاك طاقة منخفض، حيث تستهلك 8.1 واط أثناء القراءة/الكتابة النشطة و4.8 مللي واط في وضع السكون. |
المواصفات الرئيسية
- رقم الموديل: Samsung (9100 PRO) 2TB Internal SSD PCIe Gen 5x4 NVMe
- رقم الجزء: MZ-VAP2T0B/AM
- السعة: 2TB
- شكل العامل: M.2 (2280)
- الواجهة: PCIe® 5.0 x4, NVMe™ 2.0
- سرعة القراءة: متسلسل: 14,700 MB/s
- سرعة الكتابة: متسلسل: 13,400 MB/s
- قراءة/كتابة عشوائية (IOPS,QD32): 1,850K / 2,600K
- التحمل (إجمالي البايتات المكتوبة): 1200 TB
- الطاقة: نشط (قراءة/كتابة): 8.1W / 7.9W وضع السكون للجهاز (L1.2): 4.8mW / 4.0mW
- تشفير البيانات: الفئة 0 (AES 256), TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667)
- ذاكرة التخزين المؤقت: 2GB LPDDR4X
- ميزات خاصة: سعة تخزين 2TB شكل عامل M.2 2280 واجهة PCIe 5.0 x4 / NVMe 2.0 قراءات متسلسلة تصل إلى 14,700 MB/s كتابات متسلسلة تصل إلى 13,400 MB/s ذاكرة تخزين مؤقت 2GB LPDDR4x التحمل (TBW): 1200TB تقنية فلاش Samsung V-NAND TLC وحدة تحكم داخلية من Samsung تشفير AES 256 بت
- حجم المنتج (الأبعاد): 0.9 x 0.09 x 3.2 (بوصة)
